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東北大学 工学部・工学研究科 技術部

合同計測分析班

Home >> 機器分析サテライト1（マテリアル・開発系）

機器分析サテライト1　管理装置

SEARMS室
XPS EPMA AES
GD-OES XRF

電顕室
TEM1, TEM2, TEM3 FE-SEM1, FE-SEM2, FE-SEM3 複合ビーム加工観察装置1,
複合ビーム加工観察装置2
イオンミリング FIB試料仕上げ加工装置 AES
NMR室
NMR（600MHz、400MHz、300MHz）

SEARMS室

XPS（X線光電子分光分析装置）

XPSの画像
機種 ThermoFisher Scientific, Theta Probe
励起X線源 単色化Al Kα線
X線径 φ200μm(最小：φ15μm)
分光器 半球型アナライザー（SCA）
角度分解測定 最大96分割(試料傾斜は不必要)
検出深さ 数nm以下(極表面領域)
試料サイズ 70mm×70mm×25mm(最大)
対象元素 Li～
付帯設備 角度分解測定、中和銃
用途 試料にX線を照射した際に発生する光電子を検出・分光し、材料表面における各元素の定性分析や表面における化学組成を測定する。
担当者 赤尾、大比良
注意点 利用を希望される方は、事前に担当者に連絡のうえ来室してご相談ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
つきましては、マテリアル・開発系所属以外の方は、初回来室時に配布する「マテリアル・開発系　使用申請書」の提出が必要となります。

EPMA（電子プローブマイクロアナライザ）

EPMAの画像
機種 JEOL, JXA-8530F
電子銃 ショットキータイプ電界放出型（FE）電子銃
分光器数 ５基（分光結晶数：10）
分解能 μmオーダー
試料ホルダーサイズ φ25mm×19mmh
対象元素 B～
付帯装置 EDS（B～）
用途 試料に電子線を照射した際に発生する各元素の固有の特性X線を検出して、元素のマッピングや材料組成の定量分析を行う。
担当者 赤尾、大比良
注意点 利用を希望される方は、事前に担当者に連絡のうえ来室してご相談ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
つきましては、マテリアル・開発系所属以外の方は、初回来室時に配布する「マテリアル・開発系　使用申請書」の提出が必要となります。

AES（オージェ電子分光分析装置）

オージェ電子分光分析装置の画像 オージェ電子分光分析装置の画像2
機種 ULVAC-PHI, PHI 710
電子銃 電界放射型電子銃
分光器 電子銃同軸円筒鏡型分光器（CMA）
検出深さ 数nm以下
試料サイズ 35mm×35mm×12mmh
（最大、2インチホルダー使用時）
対象元素 Li～
付帯装置 低温破断機構
トランスファーベッセル機構
高分解能AESスペクトル測定機能
用途 試料に電子線を照射した際に発生するオージェ電子を検出して、元素のマッピングを測定する。また、スパッタエッチングを併用して材料中における元素の深さ方向分布や組成について分析する。
担当者 大比良、赤尾
注意点 利用を希望される方は、事前に担当者に連絡のうえ来室してご相談ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
つきましては、マテリアル・開発系所属以外の方は、初回来室時に配布する「マテリアル・開発系　使用申請書」の提出が必要となります。

GD-OES（高周波パルスグロー放電分光分析装置）

GD-OESの画像
機種 HORIBA JOBIN YVON, GD-Profiler 2
ランプ形式 Marcus型
アノード径 φ4mm（標準）
分光器 ポリクロメータ（45）、モノクロメータ（1）
深さ方向分解能 nmオーダー
試料サイズ ＞φ10mm
対象元素 H～
付帯装置 スモールサンプル測定装置
用途 高周波パルスグロー放電により試料をスパッタエッチングし、試料から放出されたスパッタ粒子をグロー放電中で励起発光させ、これを分光することによって、深さ方向での元素の定性・定量分析を行う。
担当者 大比良、赤尾
注意点 利用を希望される方は、事前に担当者に連絡のうえ来室してご相談ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
つきましては、マテリアル・開発系所属以外の方は、初回来室時に配布する「マテリアル・開発系　使用申請書」の提出が必要となります。

XRF（蛍光X線分析装置）

XRFの画像
機種 HORIBA, XGT-5000
X線径 φ10μm、φ100μm（切換式）
最大測定エリア 100mm×100mm
エネルギーレンジ 0～40keV
元素マッピング範囲 512μm×512μm～100mm×100mm
対象元素 Na～
付帯装置 マッピング用稼働ステージ
透過X線像観察機構
用途 φ10μｍもしくはφ100μｍのX線導管により絞り込んだX線を材料に照射しながらスキャンし、透過X線像や蛍光X線測定を行い、試料の元素分析、元素マッピングならびに構造分析を行う。
担当者 大比良、赤尾
注意点 利用を希望される方は、事前に担当者に連絡のうえ来室してご相談ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
つきましては、マテリアル・開発系所属以外の方は、初回来室時に配布する「マテリアル・開発系　使用申請書」の提出が必要となります。

電顕室

TEM（透過型電子顕微鏡）

TEM1の画像
機種 JEOL, NEOARMex
加速電圧 200, 80kV
分解能 (粒子像) 0.082nm (STEM), 0.27nm (TEM)
電子銃 冷陰極電界放射型
試料傾斜角 X:±35°,Y:±30°
付属装置 エネルギー分散型X線分光器 (EDX)
電子エネルギー損失分光器 (EELS)
ASTAR Topspin
STEM ADF検出器
分割型検出器（4分割）
ボトムCMOSカメラ
用途 微小領域の形態観察、構造解析、組成分析
担当者 小林、丹野
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

TEM（透過型電子顕微鏡）

TEM2の画像
機種 JEOL, JEM-2100 (HR)
加速電圧 通常200kV
分解能（粒子像） 0.23nm
電子銃 熱電子放出型 六硼化ランタンフィラメント
試料傾斜角 X:±35° Y:±30°
付属装置 エネルギー分散型X線分光器 (EDX)
STEM検出器
ボトムCCDカメラ
用途 微小領域の形態観察、構造解析、組成分析
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

TEM（透過型電子顕微鏡）

TEM3の画像
機種 JEOL, JEM-2100 (HC)
加速電圧 通常200kV
分解能（粒子像） 0.31nm
電子銃 熱電子放出型 六硼化ランタンフィラメント
試料傾斜角 X:±38° Y:±30°
付属装置 ボトムCCDカメラ
用途 微小領域の形態観察、構造解析
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

FE-SEM（走査型電子顕微鏡）

FE-SEM1の画像
機種 JEOL, JSM-7800F
加速電圧 0.01～30kV
像分解能 0.8nm (15kV), 1.2nm (1kV)
電子銃 熱陰極電界放射型
試料傾斜角 -5～+70°
付属装置 上方検出器
反射電子検出器
結晶方位解析装置 (TSL HIKARI)
用途 試料表面の形態観察、構造解析
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

FE-SEM（走査型電子顕微鏡）

FE-SEM2の画像
機種 JEOL, JXA-8530F
加速電圧 1～30kV
像分解能 3.0nm (30kV)
電子銃 熱陰極電界放射型
付属装置 反射電子検出器
波長分散型X線分光器 (WDX)
エネルギー分散型X線分光器 (EDX)
結晶方位解析装置 (TSL)
用途 試料表面の形態観察、組成分析
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

FE-SEM（走査型電子顕微鏡）

FE-SEM3の画像 　
機種 JEOL, JSM-IT800(SHL)
加速電圧 0.01～30kV
像分解能 0.5nm(15kV),0.7nm (1kV)
電子銃 熱陰極電界放射型
試料傾斜角 -5～+70°
付属装置 上方検出器
上方ハイブリッド検出器
反射電子検出器
エネルギー分散型X線分光器 (EDX)
結晶方位解析装置 (TSL Orion)
軟X線分光器 (SXES)
用途 試料表面の形態観察、構造解析、組成分析
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

複合ビーム加工観察装置1

複合ビーム加工観察装置1の画像
機種 JEOL, JIB-4600F
加速電圧 0.2～30kV (SEM) 1～30kV (FIB)
像分解能 1.2nm (30kV, SEM) 5.0nm (30kV, FIB)
イオン源あるいはビーム源 熱陰極電界放射型電子銃 (SEM)
Ga液体金属イオン源 (FIB)
付属装置 反射電子検出器
エネルギー分散型X線分光器 (EDX)
ガスインジェクションシステム (C, W)
ナノマニピュレータシステム (OmniProbe)
結晶方位解析装置 (TSL)
用途 試料表面の形態観察、構造解析、組成分析
ミクロン領域の試料加工
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

複合ビーム加工観察装置2

複合ビーム加工観察装置2の画像
機種 JEOL, JIB-PS500i
加速電圧 0.01～30kV (SEM), 0.5～30kV (FIB)
像分解能 0.7nm (15kV, SEM) 3.0nm (30kV, FIB)
イオン源あるいはビーム源 熱陰極電界放射型電子銃 (SEM)
Ga液体金属イオン源 (FIB)
付属装置 反射電子検出器
STEM検出器
エネルギー分散型X線分光器 (EDX)
ガスインジェクションシステム (C, W)
ナノマニピュレータシステム (Oxford OmniProbe400)
結晶方位解析装置 (Oxford Symmetry S3)
クライオ（Deben）
用途 試料表面の形態観察、構造解析、組成分析
ミクロン領域の試料加工
担当者 小林、丹野
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

イオンミリング（精密イオンポリッシングシステム）

PIPSⅡの画像
機種 Gatan PIPSⅡ cool Model695
使用ガス Ar
イオン加速電圧 最大8kV
照射角度 ±10°
付属装置 冷却加工
用途 薄片化試料の研磨
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

FIB試料仕上げ加工装置

FIBの画像
機種 Fischione Model 1040 Nanomill
使用ガス Ar
イオン加速電圧 最大2kV
ビーム径 約2μm
照射角度 -10～+20°
付属装置 液体窒素冷却ステージ
用途 薄片化した試料のダメージ除去
担当者 小林
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

AES（オージェ電子分光分析装置）

オージェ電子分光分析装置の画像
機種 JEOL, JAMP-9510F
電子銃 熱陰極電解放射型
分光器 同心半球型静電アナライザー
検出深さ 数nm以下
付帯装置 反射電子検出器
低温破断機構
トランスファーベッセル機構
試料パーキング
スパッタ&中和用イオン銃
用途 オージェ電子分光による組成分析、化学状態測定
Arイオンスパッタを併用したデプスプロファイル測定
反射EELS測定による化学状態の推定
担当者 丹野
注意点 使用に際しては担当者までメール等でご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。

NMR室

NMR（核磁気共鳴装置）600MHz

NMRの画像
機種 JEOL 製　ECZL-600
マグネット 14T, ボア径 54mm
固体測定(遠隔測定対応可能) 固体（新規）
・2mmFX/MAS Fフリープローブ（回転数40kHz、-100～+100℃）
・3.2mmAutoMASプローブ（回転数22kHz、-60～+150℃）、ゲル測定可能
・3.2mm広温域HXMASプローブ（回転数22kHz、-100～+200℃）、ゲル測定可能
・拡散測定用高磁場印加プローブ（2000G/cm＠50A）
　　
固体（旧）
・2.5mm 2重共鳴（1H、31P～15N）
・Mレンジ 室温固体用MAS、回転数15kHzまで回転可能（7Li, 11B, 29Si, 27Al等）
・Lレンジ 室温固体用MAS、回転数15kHzまで回転可能（17O,137Ba,10B, 35Cl等）
・6mmφY核専用プローブ 室温固体用MAS、回転数10kHzまで回転可能
・8mm low-γプローブ（29Si～25Mg）
・4mm 89Y-1H CP専用
・4mm 27Al-1H CP専用
・1.3mm Middle range (11B～29Si）
・1mm Fフリー
・1mm Fフリー　2重共鳴（1H-13C）
溶液測定（遠隔測定対応可能） ・5mmROYAL HFX 2重/3重共鳴プローブ温度可変付き（～180℃）
・拡散測定用高磁場印加プローブ（2000G/cm＠50A）
　　
用途 原子周辺の局所構造解析が有機・無機材料について可能。結晶性の低い化合物でも測定ができ、結晶構造に依存した横軸が得られる。また、液体・固体問わず、電池材料などの拡散係数を得ることが出来る。
　　
担当者 安東＊
注意点 装置利用を希望する際は担当者までご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
＊：NMR測定の支援のため、教育支援班より派遣されている。

NMR（核磁気共鳴装置）400MHz

NMRの画像
機種 JEOL製　ECZL-400G
マグネット 9.4T,ボア径　54mm
固体測定（遠隔測定対応可能） ・2mmFX/MAS Fフリープローブ（回転数40kHz、-100~+100℃）、MQ-MS測定対応
・拡散測定用高磁場印加プローブ（1200G/cm＠30A）
・4mm広温域HXMASプローブ（回転数18kHz、-100～+200℃）
　　
溶液測定（遠隔測定対応可能） ・5mmROYAL HFX 2重/3重共鳴プローブ温度可変付き（～180℃）
・拡散測定用高磁場印加プローブ（1200G/cm＠30A）
用途 原子周辺の局所構造解析が有機・無機材料について可能。結晶性の低い化合物でも測定ができ、結晶構造に依存した横軸が得られる。また、液体・固体問わず、電池材料などの拡散係数を得ることが出来る。
　　
担当者 安東＊
注意点 装置利用を希望する際は担当者までご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
＊：NMR測定の支援のため、教育支援班より派遣されている。

NMR（核磁気共鳴装置）300MHz

NMRの画像
機種 JEOL製　ECZ-300R
マグネット 7T, ボア径 89mm
固体測定（遠隔測定対応可能） ・高温拡散プローブ（室温～500℃で拡散係数測定可）
・4mmφMASプローブ(13C,7Li,31P,11B等)
・4mmΦ高温レーザーMASプローブ（～600℃昇温可能）
用途 原子周辺の局所構造解析が有機・無機材料について可能。結晶性の低い化合物でも測定ができ、結晶構造に依存した横軸が得られる。また、液体・固体問わず、電池材料などの拡散係数を得ることが出来る。
　　
担当者 安東＊
注意点 装置利用を希望する際は担当者までご連絡ください。
備考 本装置は技術部・合同計測分析班がマテリアル・開発系より管理・運用を委託されて運営しております。
＊：NMR測定の支援のため、教育支援班より派遣されている。
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